InGaAs-Detektor-Chip Sc-Art 1100nm-1650nm kleiner Bereich InGaAs-Fotodiode
50 PC
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negotiation
Preis
InGaAs Detector Chip SC Type 1100nm-1650nm Small Area InGaAs Photodiode
Eigenschaften Galerie Produkt-Beschreibung Fordern Sie ein Zitat
Eigenschaften
Grundinformation
Herkunftsort: China
Markenname: HICORPWELL
Zertifizierung: ISO9001;2015
Modellnummer: InGaAs-Fotodiode mit InGaAs-Detektor-Chip Sc-Art
Markieren:

Fotodiode Faser-Lasers InGaAs

,

Sc-Art InGaAs-Fotodiode

,

Kleiner Bereich InGaAs-Fotodiode

Zahlung und Versand AGB
Verpackung Informationen: Esd-Kasten
Zahlungsbedingungen: Western Union, L/C, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 500pcs pro Woche
Technische Daten
Art: InGaAs-Fotodiode mit InGaAs-Detektor-Chip Sc-Art
Hohes Responsivity: ≥0.85A/W 1310nm ≥o.90nm 1550nm
Vorwärtsstrom: 30V
Laser-Art: Faser-Laser
Zahlung: TT/PayPal
Max. Sperrspannung: 15 (PD)
Längenwahlen: 0.1~1m Wahl
Faser: Inspektion 9/125
Energie: 2mw
Paket: Esd-Kasten
Produkt-Beschreibung

kleiner Bereich 1100nm-1650nm InGaAs-Fotodiode mit InGaAs-Detektor-Chip Sc-Art

 

 

Die kleiner Bereich 1100nm-1650nm InGaAs-Fotodiode benutzt einen InGaAs-Detektorchip und kennzeichnet eine Leistungsaufnahme der geringen Energie,

kleine Dunkelstrom, hohe Empfindlichkeit, große Linearitäten, Kompaktbauweise und Bändchen.

Die Ausrüstung ist in CATV-Empfängern, in der Energieentdeckungsausrüstung und in den Empfängern des optischen Signals für analoge Systeme allgemein am verwendetsten.

 

InGaAs-Detektor-Chip Sc-Art 1100nm-1650nm kleiner Bereich InGaAs-Fotodiode 0         InGaAs-Detektor-Chip Sc-Art 1100nm-1650nm kleiner Bereich InGaAs-Fotodiode 1

 

 

Absolute Maximalleistungen

 

 

Parameter Symbol Bewertungen Einheit
Lagertemperatur Tstg ~40 〜 +100 °C
Betriebstemperatur Spitze -40 〜 +85 °C
Max Input Power Pmax +4 dBm
Funktionierenspannung Vop 5 V
PD-Sperrspannung VR (PD) 25 V
Lötender Temp - 260 °c
Lötende Zeit - 10 s

 

Optische u. elektrische Eigenschaften

 

 

Parameter Symbol Min. Art. Maximum. Einheit Testbedingung
Wellenlängenbereich λ 1100 - 1650 Nanometer -
Leistungsbereich P -70 - +4 dBm V=5V
Aktiver Durchmesser Anzeige   75   um -
Dunkelstrom Identifikation - 0,2 0,5 Na -
Responsivity R - 0,85 0,90 A/W 入 =1310 Nanometer
  0,90 0,95 入 =1550 Nanometer
Frequenz-Bandbreite Bw 1   2000 MHZ  
Frequenzgang Franc - 土 0,5 - DB  
Kapazitanz Ct - 0,65 0,75 PF -
Antwortzeit Tr 0,1 -   ns -
Rückflussdämpfung R1     -45 DB  
cso cso - - -70 - dBc 45~860MHz
CTB CTB - - -80 - dBc 45~860MHz

 

Auftragsinformationen:

 

X — X X R — X X X  
Art Verbindungsstück Lichtempfindliche Oberfläche (um) PD-Konfiguration ROHS Adapter Technologie Empfängerwellenlänge  
 

: FC-1

B: FC-2

C: FC-3

D: Sc

E: St.

55: φ55

60: φ60

70: φ70

3H: φ300

5H: φ500

1K: φ1000

: Art A

B: Art B

C: Art C

R: Durchlauf ROHS

 

B: Metall mit keramischer Zwinge

C: platic Adapter ohne keramisches

D: platic Adapter mit keramischem

G: Kleberart

N: Laser-Schweißen

Ich: mit Filter 1550nm

N: 900-1650n

m

 

 

Hicorpwell ist ein Berufsstecker photodetektor-Diodenmodulen InGaAs in den Koaxial(analoger optischer aktiver Behälter ROSA anschließen)

Hersteller in China. Wir stellen auch Schmetterlingslaserdioden, zopflaser-Empfängerdiode InGaAs Koaxial, Koaxialzopfdioden-Laser-Gerät zur Verfügung

und mehr.

 

Steckerbelegung 5.PD:

 

 

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