kleiner Bereich 1100nm-1650nm InGaAs-Fotodiode mit InGaAs-Detektor-Chip Sc-Art
Die kleiner Bereich 1100nm-1650nm InGaAs-Fotodiode benutzt einen InGaAs-Detektorchip und kennzeichnet eine Leistungsaufnahme der geringen Energie,
kleine Dunkelstrom, hohe Empfindlichkeit, große Linearitäten, Kompaktbauweise und Bändchen.
Die Ausrüstung ist in CATV-Empfängern, in der Energieentdeckungsausrüstung und in den Empfängern des optischen Signals für analoge Systeme allgemein am verwendetsten.
Absolute Maximalleistungen
| Parameter | Symbol | Bewertungen | Einheit |
| Lagertemperatur | Tstg | ~40 〜 +100 | °C |
| Betriebstemperatur | Spitze | -40 〜 +85 | °C |
| Max Input Power | Pmax | +4 | dBm |
| Funktionierenspannung | Vop | 5 | V |
| PD-Sperrspannung | VR (PD) | 25 | V |
| Lötender Temp | - | 260 | °c |
| Lötende Zeit | - | 10 | s |
Optische u. elektrische Eigenschaften
| Parameter | Symbol | Min. | Art. | Maximum. | Einheit | Testbedingung |
| Wellenlängenbereich | λ | 1100 | - | 1650 | Nanometer | - |
| Leistungsbereich | P | -70 | - | +4 | dBm | V=5V |
| Aktiver Durchmesser | Anzeige | 75 | um | - | ||
| Dunkelstrom | Identifikation | - | 0,2 | 0,5 | Na | - |
| Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | 入 =1310 Nanometer |
| 0,90 | 0,95 | 入 =1550 Nanometer | ||||
| Frequenz-Bandbreite | Bw | 1 | 2000 | MHZ | ||
| Frequenzgang | Franc | - | 土 0,5 | - | DB | |
| Kapazitanz | Ct | - | 0,65 | 0,75 | PF | - |
| Antwortzeit | Tr | 0,1 | - | ns | - | |
| Rückflussdämpfung | R1 | -45 | DB | |||
| cso cso | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
| CTB CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Hicorpwell ist ein Berufsstecker photodetektor-Diodenmodulen InGaAs in den Koaxial(analoger optischer aktiver Behälter ROSA anschließen)
Hersteller in China. Wir stellen auch Schmetterlingslaserdioden, zopflaser-Empfängerdiode InGaAs Koaxial, Koaxialzopfdioden-Laser-Gerät zur Verfügung
und mehr.
Steckerbelegung 5.PD:
