Modul Laserdiode eingebaute des InGaAs-Monitor-Fotodioden-optisches Isolators 1550nm DFB mit und ohne TECHNISCHES
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Built-In InGaAs Monitor Photodiode Optical Isolator 1550nm DFB laser Diode Module With and Without TEC
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Eigenschaften
Grundinformation
Herkunftsort: China
Markenname: HICORPWELL
Zertifizierung: ISO9001;2015
Modellnummer: Laserdiode-Laser-Module des Faser-Optikzopf-Koaxial-DFB
Markieren:

Laserdiodemodul 1550nm DFB

,

DFB-Laserdiode Modul mit TECHNISCHEM

Zahlung und Versand AGB
Verpackung Informationen: 26X5.5X19 cm 0.3KG für 10 PC
Zahlungsbedingungen: Western Union, L/C, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000pcs pro Woche
Technische Daten
Art: DFB HCW-PLD1550Dxx-S (1550nm-1552nm) Koaxiallaser-Modul
Wellenlänge: 1550nm-1552nm
Isolierung: Einzeln/Doppeltes
Chip: CWDM DFB
Toleranz: +/-3nm
Zahlung: TT/PayPal
Max. Sperrspannung: 15 (PD)
Paket-Art: Durch Loch
Produkt-Beschreibung

   

Modul Laserdiode eingebaute des InGaAs-Monitor-Fotodioden-optisches Isolators 1550nm DFB mit und ohne TECHNISCHES

 

Laserdiodemodul 1550nm DFB hat eine eingebaute InGaAs-Monitorfotodiode und einen optischen Isolator, die innerhalb seines Pakets integriert werden.

Seine direkte Modulationsbandbreite ist größer als 1.8GHz. Diese Laserdiode ist für Anwendungen in den optischen Netzen passend

wie Mobilkommunikationskommunikationssysteme und CATV-Systeme.

Eigenschaften:

  • Analoge Bandbreite höher als 1800MHz
  • Laser-Chip der Hoch-Zuverlässigkeit DFB an 1310nm oder an 1550nm
  • Eingebaute InGaAs-Monitorfotodiode
  • Eingebauter optischer Isolator
  • pigtailed Koaxialpaket 4-pin, Monomode- FC/APC oder SC-/APCverbindungsstück (oder andere Verbindungsstückart)

Anwendungen:

  • Optische Systeme Verstärker der Faser in den Mobilkommunikationsnetzen
  • CATV-Kraftübertragungssysteme (Rückholwege/Verbindungen)
  • Andere analoge Anwendungen

Spezifikationen:
Dioden mit Standardertrag 2mW oder mit hohem Ausschuss Energie 5mW sind verfügbar.

 

 

Absolute Maximalleistungen

 

Parameter Symbol Min. Maximum. Einheit Testbedingung
Lagertemperatur Tstg -40 100 -
Betriebstemperatur Spitze -40 85 -
Vorderesgegenwärtiges (LD) Wenn (LD)   150 MA  
Sperrspannung (LD) Vr (PD)   2 V  
Vorderesgegenwärtiges (PD) Wenn (LD)   2 MA  
Sperrspannung (PD) Vr (PD)   15 V  
Lötender Temp - - 260 -
Lötende Zeit - - 10 S S

 

 

Optische u. elektrische Eigenschaften

 

Parameter Symbol Min. Art. Maximum. Einheit Testbedingung
Nennleistung PO 6 8   mW Ith+40mA
Schwellen-Strom Ith   5 10 MA CW
Funktionierender Betrieb Wenn   45 55 MA CW, P=Po
Vorwärtsspannungsabfall Vop - 1,1 1,5 V CW, Ith+40mA
Cent-Wellenlänge λc 1540 1550 1560 Nanometer -3DB
Spektrum-Breite Δλ -   0,2 Nanometer -20dB
Seiten-Modus Unterdrückungs-Verhältnis SMSR 35   - DB -
Bandbreite (3dB) Bw - 2,5   Gigahertz -
Monitor-Strom Im 0,1   0,9 MA CW, Ith+40mA
Dunkelstrom des Monitors Identifikation - - 0,1 MA 5V
Relative Intensitäts-Geräusche RIN - -155 -150 dB/Hz CW, 25℃
Rfbandpaßflachheit BF   ±1.0   DB If=Iop, 45MHz-2500MHz, °C T=25
Drittrangige Verzerrung IMD3 - -55 - dBc Test mit 2 Tönen,
Optische Isolierung ISO 30 40 - DB 25℃

 

 

Modul Laserdiode eingebaute des InGaAs-Monitor-Fotodioden-optisches Isolators 1550nm DFB mit und ohne TECHNISCHES 0

Modul Laserdiode eingebaute des InGaAs-Monitor-Fotodioden-optisches Isolators 1550nm DFB mit und ohne TECHNISCHES 1

 

Modul Laserdiode eingebaute des InGaAs-Monitor-Fotodioden-optisches Isolators 1550nm DFB mit und ohne TECHNISCHES 2

 

 

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